国产存储巨头长江存储和长鑫存储，最近都有了新进展。长鑫科技集团股份有限公司提交了更新财务资料的招股书。长江存储也正式申请IPO辅导。这两家国产存储巨头开始在全球市场证明自己的地位。
长鑫科技2025年：营收617亿，净利润18亿
2026年Q1：营收508亿元，归母净利润达247.62亿元
据招股书数据，2025年，长鑫科技营收实现617.99亿元，同比增长约155%。招股书显示，2023年至2025年，长鑫科技营业收入复合增长率达160.78%。
与此同时，2025年长鑫科技实现归母净利润18.75亿元，2024年为-78.70亿元，意味着长鑫科技较公司及市场此前预期，提前实现了盈利。
关于盈利原因，长鑫科技表示，2025年下半年以来，产品价格的持续上涨带动了公司产品销售毛利率和利润水平的快速提升，并推动公司2025年实现扭亏为盈。该公司DRAM产品销售单价在行业周期的带动下波动较大，2024年和2025年，其主要DRAM产品销售单价的同比变动幅度分别为55.08%和33.69%。
更精彩的数据在2026年。
招股书显示，2026年1～3月，该公司营业收入508亿元，同比增长719.13%；净利润330.12亿元；归属于母公司所有者的净利润247.62亿元，同比增长1688.3%；扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润263.41亿元，以净利润计算，公司相当于日赚近4亿元。
据东方财富研究中心汇总数据，长鑫科技一季度归母净利润在全球主要存储厂商中位列第四，仅次于三星电子（约2150亿元）、SK海力士（约1837亿元）和美光科技（约939亿元）。
从全年维度看，长鑫科技预计2026年上半年实现营业收入1100亿元至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；实现归母净利润500亿元至570亿元，同比增长2244.03%至2544.19%。
业绩大涨的核心驱动力，是全球DRAM市场自2025年下半年以来的大幅涨价。今年2月底国家发改委价格监测中心发文称，2025年9月至2026年2月，受需求“爆发式”增长、产能“断崖式”紧缺等因素影响，全球存储器市场缺口扩大，存储芯片价格持续上涨。调研反映，今年1月存储芯片两大主要产品DRAM和NAND闪存价格均创2016年有数据以来最高纪录。
而TrendForce集邦咨询数据显示，2026年第一季度DRAM合约价环比涨幅被上修至93%至98%；第二季度仍维持58%至60%的涨幅预期。
当前，DRAM市场仍由三星电子、SK海力士、美光科技三家国际巨头高度垄断。据证券研报，2025年第四季度上述三家合计占据全球DRAM市场约90%的份额。长鑫科技虽产能规模居中国第一、全球第四，但市场占有率仍不足5%。
长鑫科技，国内DRAM巨头
长鑫作为国内规模最大、技术最先进的DRAM一体化企业，其产销规模的稳步扩大、制程技术的持续突破以及向DDR5等更高附加值产品的演进，共同构成了业绩增长的内生动力。而长鑫科技的盈利，也进一步印证了包括阿里在内的头部互联网与科技公司，过去加大对算力、存储等底层基础设施国产化投入的前瞻性和必要性。”
长鑫科技无控股股东和实际控制人。在长鑫科技的股东名单中，囊括了兆易创新、美的资本、小米、阿里等产业资本；大基金二期、国调基金、安徽省投等国资；招商资本、君联资本、安元基金、基石资本、燕创资本、兰璞投资、云锋基金、燕园创投、铭盛资本、前海母基金、华富嘉业等知名投资机构。
据了解，长鑫科技2016年成立以来，专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售，其采取“跳代研发”的策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及 DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等产品覆盖和迭代升级。
长鑫科技在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。根据Omdia的数据，按照产能、出货量和销售额统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。
据长鑫科技招股书，长鑫科技此次申报科创板IPO拟募资295亿元，有望为科创板开板以来募资规模第二大IPO项目，扣除发行费用后将投入存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目（75亿元）、DRAM存储器技术升级项目（130亿元）以及动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目（90亿元）。
有机构认为，海外存储巨头在通用存储方面的扩产进度可能有限，为长鑫科技扩产、提升份额带来历史性机遇，公司本次募投项目包括存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目以及动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目，DRAM高难度工艺环节众多，对供应链上游的设备先进性和技术更新需求高，长鑫科技未来持续扩产有望推动相关设备的国产化进程。
值得注意的是，招股书显示，截至2025年12月31日，公司累计亏损达366.5亿元；2023年—2025年，公司归属于母公司股东的净利润分别为-163.4亿元、-71.45亿元和18.75亿元。公司表示，经营业绩的波动一方面得益于规模效应逐步释放及精益生产管理，另一方面受行业周期影响较大。
长江存储，启动IPO
5月19日，证监会官网资料显示，长江存储控股股份有限公司发布首次公开发行股票并上市辅导备案报告。
长江存储成立于2016年12月21日，注册资本178.20亿元，法定代表人为陈南翔。无控股股东，第一大股东湖北长晟发展有限责任公司直接持有公司26.5442%股份。
据相关媒体报道，长江存储今年一季度营收突破200亿元，同比增长100％。与此同时，其NAND闪存芯片产量全球市占率已超过10%，逼近全球第三。
长江存储官网信息显示，核心运营主体长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部位于武汉，是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器垂直整合制造（IDM）企业。长江存储为全球合作伙伴提供三维闪存（3D NAND）晶圆及颗粒， 嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。
2014年，长江存储三维闪存项目正式启动。2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking® 架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。2025年，长江存储发布了第五代QLC 3D NAND（X4-6080)。
截至目前，长江存储在武汉、北京等地设有研发中心，全球共有员工8000余人，其中研发工程技术人员6000余人。
在全球半导体产业链中，存储芯片一直是技术壁垒最高、资本投入最大、产业周期最强的领域之一。长期以来，全球NAND Flash（闪存）市场主要由韩国、美国、日本企业主导，中国在高端存储芯片领域则相对薄弱。
在长江存储成立之前，中国大陆在高端 NAND Flash市场几乎没有具备国际竞争力的本土企业。全球市场主要由三星电子、SK海力士、美光科技、铠侠等国际巨头主导。
作为国内最核心的NAND Flash厂商之一，长江存储不仅承担着国产存储芯片“补短板”的任务，也被视为中国半导体产业在高端制造领域的重要突破。
当前，长江存储在武汉已有两座晶圆厂，合计月产能约20万片；武汉三期项目已进入设备安装阶段，预计年内投产，计划在2027年实现约5万片/月阶段性产能目标。