至信微推出650V 140mΩ碳化硅JFET 开启高效电源新纪元

继2026年初发布1200V JFET产品后，至信微近日再次推出量产级650V 140mΩ SiC JFET器件。此次推出标志着至信微在碳化硅功率器件领域实现从 高压 到中压的全场景覆盖，为工业 电源 、 新能源 汽车充电模块、光伏 逆变器 等高效电源应用提供核心功率器件解决方案。

核心性能突破
该650V 140mΩ SiC JFET采用至信微第三代碳化硅工艺，核心优势包括：

• 超低导通损耗 ：导通电阻RDS(on)低至140mΩ，较传统硅基 MOSFET 降低50%，系统能效提升3%-5%；
• 高耐压与快开关 ：650V耐压能力适配工业电源标准，开关速度达50ns级，支持高频化设计，缩小磁性元件体积；
• 高温稳定性 ：通过AEC-Q101车规 认证 ，支持-55℃至175℃宽温工作，满足严苛环境应用需求。

应用场景与成本优势
在工业电源领域，该器件可应用于500W-5kW级 开关电源 ，提升电源转换效率至98%以上；在新能源汽车充电模块中，支持双向充放电功能，适配V2G（车辆到电网）场景；在光伏逆变器中，配合SiC 二极管 实现99%的转换效率，降低系统散热成本。相比国际品牌同类产品，至信微方案成本降低20%，同时提供本地化技术支持与快速响应服务，缩短客户产品上市周期。

产业影响与未来展望
此次推出标志着中国在碳化硅功率器件领域实现从“进口替代”向“技术引领”的跨越。据Yole预测，2028年全球碳化硅功率器件市场规模将突破30亿美元，其中中低压器件占比超40%。至信微通过“芯片-模块-系统”的全链路创新，已申请50余项碳化硅相关专利，形成技术壁垒。未来，该器件将支持 AI 电源管理 、 5G 基站供电等新兴场景，推动高效 电源技术 向更广维度演进。

结语
至信微推出的650V 140mΩ SiC JFET，以超低导通损耗与高耐压能力为核心，重新定义高效电源功率器件标准。这一革新不仅推动了工业电源与新能源领域的能效升级，更以“中国芯+中国方案”的组合，为全球高效电源技术驱动创新注入核心动能，开启碳化硅功率器件的新纪元。