
今日热点
1. DRAM新一轮大涨季要来了
2. 台积电3nm下半年喊涨15%
3. 国产ArF光刻胶正式放量
4. 英特尔18A正式进入量产验证期
5. DDR5再进化,9600MT/s杀入消费市场
今日热点
1. DRAM新一轮大涨季要来了
2. 台积电3nm下半年喊涨15%
3. 国产ArF光刻胶正式放量
4. 英特尔18A正式进入量产验证期
5. DDR5再进化,9600MT/s杀入消费市场
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DRAM新一轮大涨季要来了
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DRAM新一轮大涨季要来了
Counterpoint Research最新报告显示,2026年第一季度全球DRAM市场营收达到970亿美元,环比增长80%、同比大增260%,创下历史新高。市场爆发主要受AI需求、存储价格上涨,以及HBM与LPDDR5在AI数据中心中的渗透率提升带动。
从厂商排名来看,三星以38%的市场份额继续稳居全球第一,进一步拉开与SK海力士的差距;SK海力士市占率为29%,美光则以22%排名第三,并持续扩充产能以争夺更多市场份额。

进入2026年第二季度,全球存储市场延续“超级周期”,供需紧张状态仍未缓解。
根据Counterpoint的月度内存价格追踪报告,DRAM平均价格持续上涨。预计2026年第二季度价格将环比上涨50%(包括HBM和普通DRAM),预示着又一个价格大幅上涨的季度即将到来。
另一调研公司Sigmaintell预测,二季度存储价格继续大幅上行。
二季度,以LPDDR4X、LPDDR5X 为主的消费电子DRAM合约价延续强劲的上涨态势,在消费电子端,手机应用端DRAM合约价环比上涨约90%,而DDR4合约价涨幅比一季度趋缓,但涨幅仍高达约50%。
业内分析认为,目前消费电子市场需求出现明显分化。中高端产品因AI功能与性能需求提升,存储规格难以下调,DRAM需求保持刚性;但低端市场对价格高度敏感,涨价已明显抑制需求。
供应端方面,高附加值AI内存产品量产后,先进工艺进一步压缩普通消费DRAM产能。
同时,原厂库存处于历史低位,新增产能有限,并且在产能分配上优先满足AI客户的需求,使得消费端DRAM的供应进一步收紧。
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台积电3nm下半年喊涨15%
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台积电3nm下半年喊涨15%
供应链消息指出,台积电下半年将再度调涨3nm代工报价,涨幅上看15%,明年也可能续涨5%至10%。
随着AI加速器、客制化ASIC、旗舰手机芯片与HPC需求同步爆发,3nm产能持续满载,先进制程已成为全球半导体竞争最核心的战略资源。

目前,英伟达、AMD、谷歌、AWS等大型客户正全面加速导入3nm制程,带动AI相关投片需求快速升温。
ASIC业者指出,这波涨价并非单一客户急单,而是整体先进制程供需结构已发生根本性变化。过去3nm主要由智能手机SoC支撑,如今AI服务器与云端ASIC需求已成为最大推力。
供应链透露,台积电3nm主力厂区Fab 18稼动率持续维持高档,客户排队情况未见明显缓解。今年初3nm月产能约13万片,第二季已提升至16万至17.5万片,但扩产速度仍追不上AI需求成长。
市场分析认为,全球AI算力竞赛升温后,先进制程竞争已从单纯技术比拼,升级为产能、良率与供应链整合能力的全面竞争。尤其云端服务业者近年积极发展自研ASIC,希望降低对通用GPU依赖,也进一步扩大3nm需求来源。
此外,随着海外设厂成本增加、先进制程折旧压力提升,以及2nm仍处于良率爬坡阶段,市场认为台积电调涨3nm价格,也有助于支撑整体毛利率表现。
相较仍在初期量产阶段的2nm,3nm目前已成为AI芯片最成熟、最稳定的量产节点,对客户而言在成本与量产效率上更具优势。
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国产ArF光刻胶正式放量
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国产ArF光刻胶正式放量
晶瑞电材5月26日在互动平台称,公司半导体用光刻胶与平板显示光刻胶业务持续推进,其中ArF光刻胶已向多家客户实现批量供应,但目前整体收入占比仍较小,预计2026年将继续加快客户验证与导入进度。
作为国内电子化学品龙头之一,晶瑞电材近年来持续深耕半导体与新能源领域,高纯湿电子化学品与高端光刻胶业务成为成长核心。

2025年,公司实现营业收入16.10亿元,同比增长12.17%;归母净利润1.49亿元,同比增长183.16%,成功实现扭亏为盈;经营现金流净额达3.70亿元,同比增长41.98%,整体经营质量明显改善。
其中,高纯化学品业务实现营收9.29亿元,同比增长19.30%,占总营收57.69%,成为公司最大业绩来源。
G5级高纯双氧水、硫酸、氨水、硝酸等产品销量持续增长,高纯双氧水出货量突破10万吨,国内市占率超过40%。目前,公司产品已批量供应中芯国际、华虹集团、长鑫存储等头部晶圆厂,并部分出口至日本及东南亚市场。
从最新财报来看,公司2026年第一季度实现营收4.19亿元,同比增长13.39%,但归母净利润仅669.18万元,同比下降84.62%,显示高端产品导入与扩产阶段,短期盈利仍存在一定波动。
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英特尔18A正式进入量产验证期
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英特尔18A正式进入量产验证期
此前发布的Arrow Lake与Lunar Lake处理器,虽然英特尔一度强调采用自家20A工艺,但实际上大量依赖台积电3nm生产,也让外界调侃“Intel Inside”逐渐变成了“TSMC Inside”。
而如今,18A工艺终于成为英特尔真正意义上的反击。
目前,英特尔18A已在亚利桑那Fab 52工厂量产。由于18A首次导入RibbonFET GAA晶体管与PowerVia反向供电等新技术,初期良率一度引发市场担忧。
不过,随着Xeon 6+ Clearwater Forest正式进入量产阶段,外界对18A的疑虑正在逐步消散。

Clearwater Forest堪称英特尔目前最激进的服务器CPU之一。该处理器最高集成288个核心,是目前核心密度最高的x86处理器,并采用12个基于18A工艺打造的CPU Compute Tile,意味着18A已经具备大规模量产能力。
性能部分也是这代产品的重点。采用18A工艺制造的Darkmont E-Core,相比上一代Crestmont E-Core,IPC性能提升17%。
同时,缓存容量暴增至576MB,是上一代Sierra Forest的5倍以上。为了满足超高核心数量需求,平台还升级为12通道DDR5,并支持DDR5-8000,整体内存带宽提升约1.8倍。
在双路服务器配置下,Clearwater Forest最高可实现576核心、1152MB缓存、192条PCIe 5.0通道以及最高3TB内存容量,内存带宽达到1300GB/s。英特尔认为,这将显著降低数据中心服务器数量与功耗,提高整体能源效率。
值得注意的是,AI浪潮也开始带动英特尔CPU需求回升。英特尔最新季度数据中心业务营收同比增长22%至51亿美元,而18A与Clearwater Forest的量产,被视为其重振先进制程与服务器市场的重要转折点。
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DDR5再进化,9600MT/s杀入消费市场
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DDR5再进化,9600MT/s杀入消费市场
随着AI PC快速普及,本地AI运算、实时内容生成、专业创作与电竞等高负载场景持续落地,终端设备对内存带宽、传输速度与稳定性的要求正快速提升,传统DDR5方案已逐渐难以满足新一代AI算力需求。
针对这一趋势,内存接口芯片与IP供应商Rambus正式推出DDR5 9600客户端芯片组,瞄准下一代AI PC高频内存市场。
该方案核心包括第二代客户端时钟驱动器CKD02、PMIC5120电源管理芯片以及SPD Hub,可支持最高9600MT/s传输速度,大幅提升终端内存性能上限。

相比传统方案,Rambus此次重点解决DDR5突破6400MT/s后普遍出现的信号衰减、时钟抖动与时序稳定性问题。
其中,CKD02负责优化并重新定时内存时钟信号,提升高频运行稳定性;PMIC5120则精准控制供电电压,确保高性能内存稳定运行;SPD Hub则负责模组识别、参数配置与数据通信,进一步完善AI PC内存子系统。
在产品兼容性方面,该芯片组可支持桌面端CUDIMM、CQDIMM以及笔记本CSODIMM等多种DDR5模组,覆盖8000MT/s至9600MT/s高频规格,全面面向下一代AI PC平台。
此次Rambus将原本偏向服务器级的高端存储技术进一步导入消费级市场,也意味着AI算力需求正推动高性能内存生态全面升级。
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