快讯：长鑫存储（长鑫科技）科创板顺利过会
2026 年 5 月 27 日，国产 DRAM 龙头长鑫科技通过科创板上市委审议，顺利过会。
5月27日，上海证券交易所上市审核委员会召开2026年第27次审议会议，结果显示，长鑫科技集团股份有限公司科创板IPO成功过会。这标志着中国规模最大、技术最先进的DRAM研发设计制造一体化企业正式迈入资本市场新阶段，也意味着中国半导体存储产业迎来关键里程碑。
长鑫科技自2016年成立以来，始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售。公司采取“跳代研发”战略，完成了从第一代到第四代工艺技术平台的量产，实现了DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等产品的迭代升级。目前，公司核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。根据Omdia数据，按出货量和销售额统计，长鑫科技已位列中国第一、全球第四大DRAM厂商。
长鑫科技此次IPO拟募集资金高达295亿元，主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目，以及动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。随着现有产能逐步释放以及规划建设产能逐步完成，公司将持续提升市场份额，以存储科技赋能信息社会，致力于成为技术领先与商业成功的半导体存储企业。
