美国时间5月18日，在全球半导体表面制备与清洗领域一流的行业盛会——SPCC 2026（Surface Preparation and Cleaning Conference）上，盛美半导体资深专家Deepak Kumar介绍了公司的独特的高温SPM工艺，是单片高温硫酸清洗自进入市场十几年来所出现的一个重大技术突破。
盛美此次公布的技术提升核心在于：高温SPM方案在15nm颗粒标准下，控制水平可低至15颗以内，显著优于市场主流方案。
与市场主流方案需要定期通过DI水清洗腔体及周边环境，去除清洗腔及外围环境高温SPM气体残留物的方案不同，盛美独特的喷嘴设计（全球专利申请保护中）可有效避免相关污染问题，无需周期性DI水清洗即可实现稳定的清洗效果。
这不仅有助于提升逻辑及存储客户产品良率，还可以通过免去外部腔体清洁，显著降低设备的维护需求。公司也已规划了进一步的性能提升路线，目标将颗粒尺寸进一步降低至13nm，以应对未来全球更先进工艺的需求。
这一技术性能的跨越式提升，将为GAA逻辑器件以及DRAM/HBM器件的良率提升带来重要支持。芯片制程迈入GAA架构后，结构愈发精密，清洗工艺需精准除残且无损纳米级架构，对颗粒控制标准极高，盛美高温SPM技术升级后足以满足该严苛工艺需求。
在存储领域，DRAM进入FinFET结构工艺易因颗粒缺陷影响良率，而盛美独特喷嘴设计实现的颗粒控制能力飞跃，预计有力提升DRAM的量产良率，同时增加HBM产量，产业价值与应用前景可期。