虽然固态硬盘涨价并不罕见，但这一次的异常在于：SATA SSD 价格全面反超 M.2 NVMe SSD，出现明显倒挂。

有Reddit 用户爆料，美国零售商 Micro Center 正以高价销售三星 870 EVO SATA SSD，其中 1TB 版本达 519 美元，2TB 超过 1000 美元，4TB 约 2069 美元，8TB 更是超过 4000 美元（约 4139 美元），价格已接近企业级存储设备水平。

更反常的是，同期性能更强的NVMe SSD 反而更便宜，例如 WD_Black SN7100 1TB 约 189 美元，三星 990 PRO 1TB 约 249 美元，明显低于同容量 SATA 产品，形成“慢盘比快盘更贵”的反常结构。

从整体趋势来看，SATA 与 NVMe SSD 都在涨价，但 SATA 涨幅明显更夸张，甚至超过上月 NVMe 的涨价幅度。

市场原本认为这种异常可能与 SATA SSD 产能下降有关：随着行业资源逐步向 NVMe、高性能存储倾斜，SATA 产品线逐渐边缘化。

但实际情况并不完全符合短缺逻辑，因为部分门店仍有库存，甚至标注限购但货架充足。

此外，在亚马逊等平台，同款870 EVO 1TB 约 449 美元，略低于 Micro Center，但依然远高于正常价格水平，进一步凸显当前SATA SSD 市场价格的异常波动。

整体来看，这一轮SATA SSD 价格已经出现明显结构性错位。低速产品价格反超高速产品，打破了存储市场长期以来的定价逻辑，也让消费级 SSD 市场出现罕见混乱。

矽力-KY（电源管理芯片PMIC 设计厂）近日向客户发出价格调整通知，宣布因供应链成本上升，将自2026年7月1日起对部分产品进行价格调整。

公司指出，近几个季度以来，AI需求快速增长，带动全球供应链持续波动，同时也加速了原材料与制造环节成本上升。晶圆代工、封装测试、物流以及人力成本均出现明显上涨，整体营运压力持续增加。

在此背景下，矽力表示，为确保产品品质稳定、供货能力及供应链安全，经内部审慎评估后，决定对部分产品进行适度调价。具体调幅将依据不同产品线而定，新价格将于7月1日正式生效。

公司强调，此次调价主要是对成本变化的必要反映，并非单纯市场策略调整。同时也理解价格变动可能对客户带来影响，未来将持续提升技术能力与运营效率，以维持产品竞争力与供货稳定性。

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环球晶25日召开股东常会，董事长徐秀兰表示，2026年全球半导体硅晶圆市场已明显回温，除AI与先进制程需求持续强劲外，车用、工控、能源与电网等非AI应用也开始复苏。

她指出，2025年市场呈现“冰火两重天”，AI相关需求旺盛，但成熟制程与8寸等小尺寸产品需求偏弱；进入2026年第一季后，客户对市场信心明显提升，开始愿意签订更长期订单。

目前，环球晶12吋产能已全面满载，小尺寸产品需求也同步回升，部分产线甚至出现加班生产情况。徐秀兰透露，亚洲12寸厂区几乎已无多余产能可承接新订单，而马来西亚、日本与中国台湾等小尺寸厂区也维持高稼动率，显示硅晶圆市场景气正逐步回暖。

不过，在需求回升的同时，能源、运费、人工及特殊油品等成本也持续上涨，再加上中东局势影响特殊石化原料供应，导致成本与交期压力同步增加。对此，环球晶目前正积极与客户协商涨价，希望下半年逐步反映成本压力。

此外，氮化镓（GaN）受惠AI服务器与电源应用需求增长，客户拉货相当积极。环球晶年初已完成20%扩产，目前再追加20%扩产，预计年底产能到位。

相较之下，碳化硅（SiC）市场仍承压，去年产品ASP大幅下滑，不过今年12寸特殊SiC晶圆已开始出货，且获利表现相对较佳。

随着AI 数据中心对超大容量存储需求持续增长，传统 HDD（机械硬盘）正在面临来自闪存的新一轮冲击。

根据24日外媒消息，Scality 在一次技术简报会上透露，Samsung 与 Solidigm 正在开发面向近线存储（Nearline Storage）的下一代超大容量闪存产品。

Scality 首席产品官 Erwan Girard 表示，公司实验室目前已经拿到了这些产品的早期样品，并正在进行测试。其中，三星的方案尤其激进。

据透露，三星正在开发采用 EDSFF E3.L 或 E2 外形规格的新型近线闪存产品，单盘容量从 250TB 起步，未来最高甚至有望达到 1PB（1000TB）。

三星希望将这种超高容量闪存用于高密度存储机架，以取代传统近线机械硬盘阵列。按照目前披露的数据，采用该方案后，单个4U 存储机架容量可接近 50PB，而整机架容量甚至有望达到 0.5EB（500PB）级别。

不过，这类闪存并非标准QLC NAND，而是一种更偏向“容量优先”的新型闪存方案。Girard 表示，其耐久度约为 0.1 DWPD，而当前主流 QLC SSD 通常约为 0.5 DWPD，更适合 AI 冷数据、归档数据和对象存储等低写入场景。

值得注意的是，Scality 在早期测试中发现，这类“近线闪存”与现有 QLC SSD 之间并没有明显性能差距，但依然拥有远高于 HDD 的随机访问能力与低延迟优势。

Scality 表示，公司已与三星存储研究团队签署合作开发协议，不过并非独家合作。这意味着，PB 级 SSD 未来可能会成为企业级近线存储的新方向。

三星电子正式迈出“千层NAND”关键一步。

25日据半导体行业消息，三星电子近期成功实现全球首个900层V级NAND原型技术，并完成采用“单元多重键合（CMB）”技术的900层V-NAND集成系统验证。

这项技术通过将两片450层单元晶圆进行键合，实现超高层数堆叠，也让三星在下一代NAND竞争中率先抢占技术制高点。

NAND闪存是AI服务器、智能手机、数据中心SSD等设备中的核心存储组件，主要负责数据存储。对于当前快速发展的AI市场而言，高容量、高能效存储的重要性正持续提升。

从技术逻辑来看，NAND堆叠层数越高，就像“盖更高的公寓楼”一样，可以在有限芯片面积内存储更多数据，同时进一步提升存储密度与能效表现，因此堆叠能力已成为衡量NAND技术实力的重要指标。

目前在量产市场中，SK海力士凭借321层4D NAND保持全球最高量产层数纪录。不过，三星电子正在加速推进下一代V-NAND布局。

一方面，三星第十代V-NAND（V10，超过400层）已进入量产准备阶段；另一方面，其研发端已率先突破900层原型技术，进一步扩大了与竞争对手之间的技术代差。

对于此次研发成果，三星电子表示，已成功验证“正常的单元运行特性”，意味着该技术不仅停留在理论堆叠层面，而是真正具备了实际运行能力。