晶能光电亮相2026九峰山论坛并发表主题演讲

来源：晶能 光电

近日，备受行业瞩目的2026九峰山 论坛 在武汉隆重开幕。本届论坛以“新赛道、新技术、新产品、新市场”为主题，汇聚了国内外院士专家、行业领袖与产业链代表，共商产业协同发展大计。

晶能光电应邀参会，并发表题为《硅衬底GaN技术助力Micro- LED 微显产业落地》的专业报告。Micro-LED作为新一代显示技术，凭借超高亮度、高像素密度、低功耗、长寿命等显著优势，已成为AR/ VR 、车载HUD、光 通信 、近眼显示等前沿应用场景的首选方案。

当前，Micro-LED微显示技术仍面临制程良率、全彩化方案、成本控制与红光效率等关键挑战。相较于传统蓝宝石衬底，硅衬底GaN技术具备大尺寸兼容、低成本、翘曲小、适配CMOS工艺、波长均匀性优异、同质键合无损伤等核心优势，正成为Micro-LED产业化的理想路径。

作为全球硅衬底GaN基LED技术的领导者之一，晶能光电深耕该领域20年，依托荣获国家技术发明奖一等奖的底层核心技术，构建了覆盖外延—芯片—器件—模组的全产业链IDM布局，为Micro-LED微显示产业提供了坚实的技术支撑和产业化基石。

目前，晶能光电已实现4-12英寸硅衬底GaN全色系外延，并率先突破12英寸RGB三基色Micro-LED外延技术。其中：

大电流性能优异，满足车灯等高阶应用场景

量产EQE效率与4英寸外延片水平相当

特别值得关注的是，晶能光电的硅衬底GaN基Micro-LED材料已赋能下游多家企业产品落地。例如，鸿石智能、诺视科技等合作伙伴利用晶能大尺寸Micro-LED外延材料，已成功推出万级P PI 、超小体积的量产级微显示芯片，标志着硅衬底技术路线的产业化进程全面提速。

展望未来，随着技术和工艺的持续进步，晶能光电将继续聚焦硅衬底GaN核心技术创新，强化全产业链协同能力，与产业链伙伴携手共建下一代显示生态，共同推动Micro-LED技术的规模化落地与产业化进程。