重磅：新芯股份终止科创板IPO，长江存储启动上市辅导！

1、5月19日，上海证券交易所发布正式公告，终止对新芯股份集成电路股份有限公司（简称 “新芯股份”）科创板首次公开发行股票的审核。

2、与此同时，据证监会官网，长江存储控股股份有限公司发布首次公开发行股票并上市辅导备案报告。

3、据Omdia和WSTS数据，DRAM是市场规模最大的存储芯片，2025年全球DRAM市场规模为1,505亿美元，占存储芯片市场规模的比例约为65%。据TechInsights统计，NOR Flash 总体市场规模将在未来5 年持续增长，2024 年，全球 NOR Flash 市场规模达到 26.19 亿美元，同比增长 15.22%，2024-2029 年的年均复合增长率为 6.07%。

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文/李老师

5月19日，上海证券交易所发布正式公告，终止对新芯股份集成电路股份有限公司（简称 “新芯股份”）科创板首次公开发行股票的审核。这意味着这家国产特色存储芯片代工龙头，历时近2 年的上市征程戛然而止。

回溯IPO 历程，新芯股份的上市之路波折不断：2024 年 9 月 30 日，科创板 IPO 申请获受理，计划募资48 亿元，投向 12 英寸集成电路制造生产线三期、特色技术迭代及研发配套项目；2024 年 10 月进入问询阶段，同年 12 月因财报更新中止审核；2026 年 3 月再次因财务资料过期暂停审核，直至本次正式终止。

与此同时，据证监会官网，长江存储控股股份有限公司发布首次公开发行股票并上市辅导备案报告。

值得一提的是，近期，处于科创板IPO中的长鑫科技更新了招股书，资料显示，长鑫科技上半年营收预计达到了1100亿元-1200亿元，而相关的净利润则达到了500亿元-570亿元，扣非净利润更是达到了520亿元-580亿元，同比暴增超过了22倍！

上半年营收超1100亿：净利润超500亿元

资料显示，新芯股份是国内领先的半导体特色工艺晶圆代工企业，聚焦于特色存储、数模混合和三维集成等业务领域，可提供基于多种技术节点、不同工艺平台的各类半导体产品晶圆代工。

在特色存储领域，公司是中国大陆规模最大的NOR Flash 制造厂商，拥有业界领先的代码型闪存技术，制造工艺涵盖浮栅（Floating Gate，又称 ETOX）型与电荷俘获（Charge Trap，又称 SONOS）型两种主流结构。

公司在浮栅工艺上制程节点涵盖65nm 到 50nm，其中 50nm 技术平台具有业内领先的存储密度；在电荷俘获工艺方面为客户一代码型闪存（产品 A）全球唯一晶圆代工供应商。

在数模混合领域，公司具备CMOS 图像传感器制造全流程工艺，拥有多年稳定量产的 BSI 工艺和堆栈式工艺，技术平台布局完整、技术实力领先；公司12 英寸RF-SOI 工艺平台已经实现 55nm 产品量产，射频器件性能国内领先，广泛应用于智能手机等无线通讯领域。

在三维集成领域，公司拥有国际领先的硅通孔、混合键合等核心技术，公司双晶圆堆叠、多晶圆堆叠、芯片-晶圆异构集成以及硅转接板技术应用不断拓展。

截至2025年6 月末，公司共拥有两座12 英寸晶圆厂。报告期内，公司先后承担十余项国家级、省市级重大科研项目，技术研发成果曾荣获“中国专利优秀奖”、“湖北科技进步一等奖”、“湖北专利奖金奖”等奖项及荣誉。

而长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉，是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器IDM企业。长江存储为全球合作伙伴提供3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。

存储芯片持续涨价：新芯股份拟总投资达310亿元

从产业来看，据TechInsights 统计，2024 年全球半导体市场规模达到 6,834 亿美元，同比增长 22.23%。未来 5 年，随着人工智能、汽车电子、物联网等多个应用领域需求不断增长，预计未来市场规模将以 8.76%的复合增长率在 2029 年提升至10,399 亿美元。

而存储芯片是半导体行业的重要分支，同时也是拉动半导体行业增长的主要驱动力之一。根据TechInsights 统计，存储芯片市场在经历了 2023 年的“去库存周期”后， 2024年迎来反弹，市场规模达到1,704.07亿美元，同比增长77.64%，2024-2029 年的年均复合增长率为 12.34%。

根据Omdia和WSTS数据，DRAM是市场规模最大的存储芯片，2025年全球DRAM市场规模为1,505亿美元，占存储芯片市场规模的比例约为65%。

在技术突破、性能迭代与市场应用需求的多维驱动下，各类型DRAM产品呈现代际升级趋势，每代际新产品通常较前代际享有更高的速率和容量，以及更低的电压和功耗。

2023年至2025年，市场主要DDR 及LPDDR产品分别处于 DDR4 向 DDR5、LPDDR4向LPDDR5迭代升级阶段。其中，DDR产品方面，DDR4市场占有率由2023年的64%降至2025年的27%，同期DDR5市场占有率由32%提升至71%;LPDDR产品方面，LPDDR4市场占有率由2023年的47%降至2025年的27%，同期LPDDR5市场占有率由52%提升至72%。

此外，近年来，新兴技术场景持续涌现，数据总量呈现爆发式增长，广泛的数据读写与传输需求驱动全球DRAM市场规模快速扩大。长期来看，全球DRAM市场仍有广阔的增长空间。

根据Omdia数据，全球DRAM市场规模有望从2025年的1,505亿美元增长至2030年的5,710亿美元，年均复合增长率为30.56%。

中国DRAM市场覆盖国内消费电子市场与电子信息制造业的广泛需求，在全球DRAM市场中占有重要份额。

根据Yole数据，2024年中国DRAM市场规模约为250亿美元，占全球DRAM市场规模的比重超过四分之一。作为全球主要的DRAM需求市场，中国在该领域长期高度依赖进口，DRAM本土厂商仍有广阔的市场空间。

据TechInsights统计，NOR Flash 总体市场规模将在未来5 年持续增长，2024 年，全球 NOR Flash 市场规模达到 26.19 亿美元，同比增长 15.22%，2024-2029 年的年均复合增长率为 6.07%。NOR Flash 被广泛应用于计算机、消费电子、汽车电子、工业控制、物联网设备等领域。