随着存储巨头将更多资源投入到高利润的HBM，那些旧世代的产品被逐渐放弃，例如2D NAND，由于三星和铠侠等存储巨头的退出,2D NAND陷入持续的供不应求，价格也水涨船高。
2D NAND供给大幅减少
据韩国半导体业界表示，由于三星电子已从 2026年3月起逐步停止华城厂区12线的2D NAND生产，并着手将该设施转换为生产先进1c DRAM的工厂，这座三星最后2D NAND生产基地关门，宣告了自2002年以全球首款1Gb产品量产为开端的三星2D NAND时代，在历经24年后正式画上句点。
不仅如此，三星也已向客户发布MLC NAND的停产通知，预计在2026年6月进行最后一次出货后，将全面停止供应。MLC技术虽然容量不如较新的TLC或QLC，但数据保存力与耐用性极佳，过去一直是要求10年以上无故障运作的医疗设备与工业机器人市场中的必要零件，如今却因获利能力不佳而面临退场命运。
在此同时，铠侠也于2026年3月通知客户，将逐步撤出2D NAND与第三代 BiCS Flash 产品市场，计划于2026年9月底前接收最后订单，并于2028年12月完成最终出货，预计2029 年完全退出该领域。此外，铠侠同步停产旧型TSOP封装产品，预期低容量NAND的供需将变得更加吃紧。
至于美光则在仅维持现有客户基本需求的同时，宣布终止旗下消费性品牌“Crucial”的业务，将旧制程晶圆产能全面转向 AI 数据中心所需的先进存储芯片，这些计划都让低容量通用 NAND的供应短缺问题雪上加霜。
价格飙涨300%
也因为在供应大幅减少的前提下，近期部分SLC与MLC产品价格在一个月内出现双位数以上的涨幅，其中MLC 64Gb的现货价格更从2025年底的约6美元，狂飆至目前的20至28美元区间，涨幅高达300%，市场已出现极端的恐慌性囤货现象。
目前市场面临的最大问题在于，主要大厂撤出的速度已经远超过市场技术转换的脚步。
市场调查机构TrendForce预测，2026 年全球MLC NAND的生产能力将比2025年大幅骤减 41.7%。雪上加霜的是，由于三星与美光在出售旧设备时，拒绝授权核心的MLC制造技术，导致新进厂商极难跨入该市场填补空缺。
NAND或缺货到2028
也因为几大存储芯片巨头正将生产产能全面集中于高带宽存储（HBM）与先进的 3D NAND 快闪存储芯片，导致2D NAND等传统旧型产品的供应基础减少。
内存控制芯片大厂慧荣总经理苟嘉章表示，AI投资的重心正从训练快速移至推论，进一步带动内存与储存需求同步成长，在供给端受限下，预期DRAM与NAND Flash供需吃紧情况短期难解，其中NAND Flash可能一路缺货到2028年，下半年内存价格可望持续上扬。苟嘉章表示，目前北美云端服务供应商持续大举建设 AI 基础设施，业内人士都担心未来内存、AI 基建资源不足，因此积极通过长期合约、预付款等方式锁定供给。
对于内存行业来说，即使现在启动扩产，也无法立即建立稳定供给。从获取土地、建设无尘车间，到装机、良率调校完成，至少需要 2-3 年才能真正形成有效产能，且设备交付周期往往长达 1 年-1 年半，供需缺口难以短期快速改善。
近年NAND Flash技术快速演进，由于无尘室空间有限，相较主流TLC与QLC架构，MLC的单位产值最低，不符合NAND原厂追求规模经济与资本效率的策略，因此原厂正积极集中资源于TLC、QLC与DRAM，并逐步将LCLC产品停产（EOL）。2D NAND曾部分用于U盘等低价存储设备，但随着向3D NAND转换完成，需求大幅下滑，主要NAND厂商均已完成3D转型。