深圳争妍微电子亮相成都双展，深化西南布局，共谋产业合作

2026年4月16日至18日，第二届成都国防科技产业博览会在成都世纪城新国际会展 中心 隆重举行。作为同期核心展区之一， 半导体 与 集成电路 专题展汇聚了行业前沿力量。深圳争妍微电子有限公司（以下简称“争妍微电子”）携其全系列功率半导体产品矩阵，精彩亮相2号馆2-K02-1展位，以硬核实力闪耀西南。

展会现场，争妍微电子展台人头攒动，专业观众络绎不绝。公司重点展示了覆盖功率半导体全领域的核心产品，包括 二极管 、三极管、 MOSFET 、 可控硅 、 IGBT 等成熟器件，以及代表未来技术方向的SiC JBS/MOSFET（碳化硅结势垒 肖特基 二极管/金属-氧化物半导体场效应 晶体管 ）、 氮化镓 HEMT（高电子迁移率晶体管）和 模拟 IC等高端解决方案。这些产品以其高可靠性、高性能和高集成度，吸引了众多国防科技、 工业控制 、 新能源 等领域的专业观众驻足交流，现场洽谈合作意向热烈。

“此次参展，我们不仅带来了成熟稳定的功率器件，更重点展示了面向未来高功率、高效率应用场景的宽禁带半导体技术。”争妍微电子总经理李学会在展会现场表示，“国防科技领域对 电子元器件 的可靠性、环境适应性和性能指标有着极致要求。争妍微电子深耕功率半导体领域多年，始终将技术创新和品质管控放在首位。我们的MOSFET、IGBT以及新兴的SiC JBS/MOSFET和氮化镓HEMT产品，正是为满足这些严苛需求而生，旨在为国防装备的轻量化、高效化和智能化提供坚实的‘中国芯’支撑。”

李学会总经理进一步强调：“参与成都国防科技产业博览会，对我们而言意义非凡。这不仅是展示技术实力的窗口，更是融入国家国防科技产业生态、服务国家战略腹地建设的重要契机。我们期待通过与产业链上下游的深度合作，共同推动关键核心器件的自主可控，为构建安全可靠的国防科技产业链贡献力量。”

此次成都之行，对争妍微电子而言，更是一次重要的市场战略拓展。展会间歇，公司总经理李学会与同期参展的 知名 驱动方案公司深圳兆威进行了深入沟通。双方就技术互补、市场协同等议题交换了意见，并决定在展会结束后进一步交流，以确定具体的合作方向，共同探索在高端驱动领域的创新解决方案。

李学会总经理表示：“西南地区产业链完整，电子类企业众多，市场潜力巨大。这次参展是公司销售团队走出深圳、走向西南的重要一步。我们希望通过这样的行业盛会，不仅能够展示我们的二极管、三极管、MOSFET、可控硅、IGBT、SiC JBS/MOSFET、氮化镓HEMT和模拟IC等产品，更能深入了解西南市场的需求，与本地企业建立紧密的合作关系，共同推动区域半导体产业的发展。”