航晶公司推出三路真冗余设计RVDT传感器

设计背景

1.1 冗余设计的必要性与高可靠冗余架构

在国计民生相关的战略领域中，设备稳定运行不仅是核心技术指标，更是筑牢安全防线的关键。无论是国家关键基础设施建设，还是极端环境下的任务系统，高可靠性都是核心诉求，是保障任务成功、守护安全底线、实现全生命周期经济性的核心基础。

可靠性，是指产品在规定条件、规定时间内，完成既定功能的能力。常规设计中，可通过优选优质 元器件 、简化结构设计、强化测试验证等方式提升系统可靠性，但面对超高任务要求与极端复杂环境时，冗余设计是更高效、更直接的解决方案。

冗余设计的核心是为系统关键环节配置备份单元，当主通道或部件发生故障时，备用单元可自动、瞬时接管工作，确保系统不间断运行、性能无衰减，具备高容错性、高成功率、长工作寿命、低运行风险等多重优势。

两冗余架构 采用双通道并行工作模式，单路故障时，另一正常通道可维持系统正常运行； 三冗余架 构具备更优的可靠性，单路故障时， 处理器 可通过 “少数服从多数” 逻辑保障系统稳定工作，因此在高安全、高可靠要求的系统中，三冗余设计是更高效可靠的技术选择。

1.2 高可靠性 RVDT 传感器

传感器是现代科技体系的 “感官神经”，是连接物理世界与数字系统的核心桥梁，承担着信息感知与采集的关键职能，是自动化、智能化技术落地的核心基石。从 智能手机 屏幕自动旋转、 工业机器人 精准作业，到 智能家居 智能调控、智慧城市科学管理，再到医疗器械精密诊断、 新能源 汽车全域控制，均依赖传感器提供精准的数据支撑。

按照测量原理划分，传感器可分为 光电 式、 电容 式、压电式、电感式、霍尔式等多种类型。

RVDT是一种旋转可变差动电感式传感器，即机电式传感器，属于基于 电磁感应 原理的无接触式电感传感器，用于角度变化量测量，具备 高精度 、高可靠性、长寿命、高分辨率等特性，在 工业自动化 、航空航天、汽车工业等领域发挥着重要作用。

电感式传感器依托线圈间电磁 耦合 效应工作，铁芯移动会改变线圈耦合强度，进而引发输出 信号 变化，且输出信号幅度大小与铁芯位移量呈线性相关。电感式角/线位移传感器可实现非接触式物理信号向电信号的转换，兼具长寿命、高精度的优势，应用前景广阔。

但该类传感器需配套外部激励单元与解调单元，存在外围元件繁多、结构复杂的问题，用于冗余设计时，不仅占用空间大、设计难度高，还难以控制经济成本。同时，机电式结构与磁互感耦合原理，使其易受外界强电磁环境干扰，导致解算结果出现误差。

1.3 航晶技术领域布局

基于上述应用痛点，航晶公司持续深耕传感与信号调理领域，形成完整技术与产品布局：从耐高温磁通门测量HJ11867起步，成功实现 AD 598/AD698进口器件完全国产化替代，推出HJG598、HJG698 LVDT/RVDT激励解调器并批量交付；延伸覆盖微弱磁信号测量HJMAG803~HJMAG805系列 ，及高性能霍尔式磁敏传感器产品线，构建起覆盖磁通门、激励解调、弱磁检测、霍尔传感的全链条高可靠传感器解决方案。

HJR402 传感器介绍

2.1 传感器物理结构

HJR402三冗余霍尔式传感器电气原理结构图如下：

HJR402传感器电气结构由1个永磁铁与三路霍尔元件处理器组成。电路内部物理元件均选用无磁特性材料，可有效提升测量精度；外壳采用铝合金材质并进行密封安装。实物图如下：

铝合金外壳组件包含转轴轴承、刻度盘、安装固定孔及引出线。器件安装便捷、使用简单，无需外接任何外部元件。外壳封装尺寸图如下：

引出线采用航空软线ARF-250-1/1×0.2mm² 标准，引线长度450±20mm（支持定制），具体引出端功能如下表：

2.2 传感器电气参数

2.3 典型特性说明

1.本传感器器件采用 三冗余设计 ，三路传感器工作及输出状态相互独立、互不干扰。任意一路发生工作失效，均不会影响其余两路的正常输出，属于 真冗余结构传感器 。

2.本传感器可根据用户实际需求，灵活设置输出电压范围与角度测量量程。在低线性误差±1%的工作模式下，最大角度量程可设置为90°；在60°测量角度量程内，器件输出曲线线性度更优， 误差可控制在0.5%以内 。当转轴旋转角度超出标定范围后，器件输出将保持稳定的高电平或低电平状态。

3.本产品配套永磁体磁场强度不低于3000Gs，自身工作磁场强度高，抗外界电磁干扰能力强。经试验验证，在复杂强电磁环境下，其输出电压最大偏差 可控制在 1.5% 以内 ，抗干扰能力较传统机电式RVDT传感器 提升约3倍 。

4.本产品使用简便，无需外接任何辅助元件，具备输出精度高、可靠性强、多路输出一致性好、抗电磁干扰与噪声能力优异等特点，可实现角度位移量到对应电信号的精确转换。

5.由于VO1、VO2、VO3输出信号与供电电压VCC成比例关系，建议使用基准 电源 分别为VCC1、VCC2、VCC3供电， 严禁使用数字 5V 直接供电 。

总 结

通过对HJR402传感器工作原理的分析，并与传统机电式传感器的结构及原理进行对比，形成如下对比表。

由上表可见，HJR402三冗余传感器在综合性能上显著优于传统机电式传感器，可在高精度、高可靠性及复杂电磁环境等高端应用场景中，完全替代传统机电式RVDT传感器。