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发布于 2025-12-27 / 0 阅读
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盛美上海首台PECVD SiCN设备顺利出机,可满足IC工艺后段应用及先进封装晶圆级键合应用的严苛工艺需求

盛美上海

首台PECVD SiCN设备

顺利出机

自研世界首台三工位旋转沉积架构,

可满足IC工艺后段应用及先进封装晶圆级键合应用的严苛工艺需求

△盛美上海 PECVD SiCN设备

盛美半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“盛美上海”)(科创板股票代码:688082),作为一家为半导体前道和先进封装应用提供晶圆工艺解决方案的卓越供应商,于今日宣布,其首台等离子体增强化学气相沉积(PECVD)碳氮化硅(SiCN)设备已正式出机。

该设备在盛美上海临港实验室已验证满足工艺指标,现发往客户端进行最终验证。

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PECVD SiCN

产品主要特点

盛美上海的PECVD SiCN设备基于自研的沉积架构设计,满足先进半导体制造中日益严苛的工艺要求。该平台在单一反应腔内配置了三个工艺工位(专利申请保护中),采用旋转沉积的方式,每个工位完成总膜厚三分之一的沉积。这种设计能够实现对界面层形成、气流管理及薄膜均匀性的更精确控制。此外,盛美“一工位一射频”控制软件技术,通过每个工位独立的射频系统实现对等离子体的独立控制,大幅提升工艺的稳定性与一致性。

该设备专为300毫米晶圆工艺设计,最高工艺温度可达400摄氏度。该平台配置有四个晶圆装载口及三个工艺腔体,以支持高效的晶圆传送与工艺运行。

该设备旨在支持55纳米及以下高端IC工艺的后段金属互联工艺应用中的PECVD NDC (SiCN)工艺,应用场景包括铜氧化抑制、铜扩散阻挡层及刻蚀停止层。随着逻辑器件的微缩及集成度要求的日益严苛,对颗粒、等离子体稳定性及界面层的更精准把控变得至关重要。这些严苛要求同样正推动着先进封装领域对SiCN薄膜的需求——其薄膜特性非常适用于下一代器件集成中的晶圆级键合等应用。在这些应用中,SiCN薄膜的高粘附性、高键合能及致密特性,有助于提升集成可靠性、抑制金属离子扩散,并支持更高密度的器件架构。

盛美上海总经理王坚表示:

首台 PECVD SiCN 设备的发运,是盛美 上海 在持续拓展 工艺 技术能力道路上的一个重要里程碑,该平台采用创新性的设备设计,可支持更先进的工艺需求,并为日益复杂的半导体制造及下一代器件集成提供所需的控制能力与一致性。

关于盛美上海

盛美坚持“客户全球化”战略,在服务好国内客户之外,同时积极开拓国际市场,客户遍布美国、韩国、中国台湾和东南亚市场。始终坚持“技术差异化”和“产品平台化”战略,成功布局了八大板块产品,分别是清洗设备、电镀设备、晶圆级先进封装设备、立式炉管设备、涂胶显影设备、PECVD设备、面板级先进封装设备和无应力抛光设备,可覆盖市场约200亿美元。作为清洗和电镀设备的龙头企业,盛美清洗设备已经覆盖了95%工艺步骤应用,电镀设备实现技术全覆盖,所有产品都具有自主知识产权,拥有多项原创技术,例如SAPS及TEBO两代兆声波清洗技术和Tahoe单片槽式组合清洗技术位居行业前列,多阳极电镀技术具备国际竞争力。此外,面板级封装是AI芯片未来发展的必由之路,盛美已经率先推出了面板级水平式电镀、负压清洗、边缘刻蚀设备,期待这三款设备将共同推动具有高精度特性的大型面板先进封装行业进步以及扇出型面板级封装技术市场发展。

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先进封装设备类似前道晶圆制造设备,供应商受益先进封测产业增长。随着先进封装的发展,Bumping(凸块)、Flip(倒装) 、TSV 和 RDL(重布线)等新的连接形式所需要用到的设备也越先进。以长球凸点为例,主要的工艺流程为预清洗、UBM、淀积、光刻、焊料 电镀、去胶、刻蚀、清洗、检测等,因此所需要的设备包括清洗机、PVD 设备、光刻机、 刻蚀机、电镀设备、清洗机等,材料需要包括光刻胶、显影剂、刻蚀液、清洗液等。为促进行业发展,互通有无,欢迎芯片设计、晶圆制造、装备、材料等产业链上下游加入艾邦半导体先进封装产业链交流群。