2026年5月8日，英飞凌发布声明称，美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会近日的最终裁决维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令仍需经过为期60天的美国总统审查期后生效。
英飞凌表示，该裁决是又一项积极的结果，进一步彰显了英飞凌在氮化镓技术领域所作贡献的价值。在德国进行的相关诉讼中，英飞凌正在慕尼黑第一地方法院（Landgericht München I）就三项专利和一项实用新型专利的侵权问题提起诉讼。早在2024年8月，慕尼黑法院就已裁定英诺赛科侵犯了英飞凌指控的首项专利。另一项专利和一项实用新型专利的庭审将于2026年6月举行。
对此，英诺赛科发布公告回应称，美国ITC在第 337‑TA‑1414 号调查中作出最终裁定，确认英诺赛科当前的氮化镓（“GaN”）功率器件产品未侵犯英飞凌的相关专利，并可不受限制地继续在美国进口和销售。
ITC 全体委员一致同意英诺赛科现有产品未侵犯英飞凌美国第 9,070,755 号专利（涉及电极设计）和第 9,899,481 号专利（涉及封装设计）。
不过，英诺赛科也承认，ITC委员会仅认定第 9,899,481 号专利中的两项权利要求有效且仅被英诺赛科早已停止生产和销售的历史旧产品侵权。因此，相关的进口和销售禁令对英诺赛科在美国的现有业务不具有实质影响。英诺赛科将继续不间断地向美国及全球客户供应其现有的 GaN 功率产品。
ITC 的最终裁定确认，英诺赛科的产品源于独立自主的技术创新，并彻底挫败了英飞凌试图通过缺乏根据的诉讼手段限制合法竞争的企图。功率半导体行业的未来应由更优异的产品所塑造，而非毫无根据的诉讼伎俩。
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