碳化硅 （ SiC ） 半导体 是提升电动 汽车 效率和增加续航里程的关键。博世正快速推进该领域的研发：公司已正式推出第三代 碳化硅 芯片 ，并逐步开始向全球 汽车 制造商提供样片。这意味着越来越多的电动 汽车 将很快搭载博世最新的第三代 碳化硅 产品。博世董事会成员及博世智能出行集团主席马库斯 · 海恩博士表示： “ 碳化硅 半导体 是电动出行的核心‘节拍器’。它们精准控制能量流，并使其达到最高效的状态。”
“中国不仅是全球最大的新能源 汽车 市场，更在 800V 高压平台等前沿电气化架构的普及上处于领先地位。” 博世功率 半导体 亚太区负责人 Bruno Schuster 表示，“我们全新的第三代 碳化硅 技术专为满足这些严苛的高效能需求而设计。博世将结合强大的全球技术储备与不断完善的本地服务能力，全力赋能中国本土 汽车 客户的创新与发展。”
数十亿欧元投资全球制造网络和本土赋能
碳化硅 半导体 的开关速度和运行效率显著高于传统硅 芯片 。它们不仅能大幅减少能量损耗，还能在电子设备中实现更高的功率密度。博世的新一代 半导体 不仅提供了技术优势，更带来了显著的经济效益。 “我们的新一代 芯片 性能提升了 20% ，且尺寸比上一代更为精巧，”马库斯 · 海恩博士解释道。 “这种小型化是实现未来更高成本效益的长期关键因素，因为我们可以在单片晶圆上产出更多的 芯片 。通过这种方式，博世为高性能电子器件的进一步普及做出了实质性贡献。”自 2021 年推出第一代产品以来，博世已在全球交付了超过 6000 万颗 碳化硅 芯片 。
近年来，博世在 碳化硅 芯片 的研发领域不断取得进展，并持续投资其位于德国罗伊特林根的工厂，在先进的 200 毫米晶圆上生产第三代 芯片 。此外，公司计划投资约 19 亿欧元，用于装备近期在美国加利福尼亚州罗斯维尔收购的生产基地。预计今年内，该工厂将生产出首批用于客户 测试 的样片。位于德国和美国的两家工厂将共同保障 半导体 供应，这不仅创造了满足全球市场需求的产能，也将为 汽车 行业打造更具韧性且稳健的全球供应链。在中期规划中，博世的目标是将 碳化硅 功率 半导体 的年产能提升至数亿颗级别。
针对产能布局，博世功率 半导体 亚太区负责人 Bruno Schuster 补充道：“这一全球制造网络将深度赋能中国客户。当前，中国新能源 汽车 产业正经历从 400V 向 800V 高压平台的跨越式发展，对高性能、高可靠性 碳化硅 芯片 的需求极为迫切。博世通过在德国罗伊特林根与美国罗斯维尔的双中心布局，不仅能为客户提供充足的、跨区域的产能保障，更能通过极具韧性的全球供应链，助力中国本土主流车企在全球化出海进程中规避供应风险，确保生产的安全与稳定。”
深耕本土，敏捷服务
除全球产能布局外，博世已在上海组建了专门的 碳化硅 功率 半导体 研发团队及 测试 实验室，旨在针对本土新能源 汽车 市场环境下的差异化需求提供敏捷的技术支持。同时，博世在苏州落成的 碳化硅 功率模块生产基地已实现本土化量产。这种 “全球 芯片 供应 + 本土模块制造 + 本地研发验证”的组合方案，确保了博世能够与本土主流 汽车 制造商及本土先进衬底供应商展开深度协同，显著缩短从样片到量产的转化周期，共同定义未来高效出行的技术标准。
独特的 “博世工艺”是成功的关键
为了使 芯片 在面积缩小的同时实现更强劲的性能，博世运用了其独特的制造专长。公司采用了自 1994 年起即在业内广泛认可的“博世工艺”（ Bosch process ）。这种最初为传感器开发的沟槽刻蚀技术，能够在 碳化硅 中构建出高精度的垂直结构。这种结构大幅提高了 芯片 的功率密度——这也是博世第三代 碳化硅 芯片 产品在包括 800V 的高压应用场景中展现卓越性能的关键因素。