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发布于 2026-04-29 / 0 阅读
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【中半协专访】对话江湾世纪:MEMS特色工艺刻蚀和&沉积技术

背景 


根据行业数据显示,尽管中国已成为全球最大的电子消费与制造市场,但在MEMS这一赛道上,欧美日厂商仍占据主导地位。目前的行业图景呈现出鲜明的对比:一方面,全球MEMS市场规模持续攀升,预计到2028年将突破200亿美元;另一方面,中国大陆虽然拥有广阔的应用场景,但制造端的产值占比不足全球的3%。

更深层的危机在于:在MEMS、红外传感、硅光通信等前沿领域,支撑高性能器件生产的核心工艺设备,长期处于“中国厂商覆盖空白”的状态。

当下,国产半导体设备厂家正逐步实现从技术跟随到自主创新的跨越,随着人才的积淀、技术的不断迭代,在关键细分工艺领域,正加速跑出一批具备技术优势的国产设备厂家。

中国半导体行业协会MEMS(微机电系统)分会走进江湾世纪,有幸专访江湾世纪(苏州)半导体科技有限公司联合创始人张德林,就公司成立初衷与行业定位,进行深入浅出的沟通,共同探讨如何通过设备创新补齐半导体设备产业链。



企业调研专访


Q1

公司成立的初衷是什么?在当时的行业环境下,你们看到了哪些刻不容缓的问题?


A

江湾世纪: 我们成立的初衷非常明确:解决中国MEMS产业链的“断点”问题。 

长期以来,国内MEMS领域存在严重的“设计与制造脱节”。很多优秀的设计公司受限于国内Fab厂的工艺能力,不得不去海外代工;而国内Fab厂又受制于核心设备的缺乏。特别是在MEMS、红外和硅光等高增长领域,关键的刻蚀和沉积设备几乎被欧美厂商垄断,国内在高性能工艺设备上几乎是“零覆盖”

我们团队来自全球顶级半导体设备企业,深知只有提升中国的设备技术和工艺能力,才能让中国MEMS真正实现从研发到量产的闭环。


Q2

您提到的“产业链断点”,具体在哪些技术节点上表现得最明显?


A

江湾世纪: 瓶颈主要集中在核心工艺的Know-how上。比如在压电MEMS所需的PZT薄膜沉积、红外传感器需要的VOx薄膜制备、以及硅光芯片的精密刻蚀。以红外和硅光为例,这些领域对设备的精度和重复性要求极高,过去中国厂商在这些高性能设备上完全没有话语权。

江湾世纪通过打造“1+2+3+4+5”的核心业务,正是为了在这些尚未被国产厂商覆盖的领域实现“零的突破”。


Q3

您公司研发的核心设备,主要应用于MEMS哪些器件的制备过程?


A

江湾世纪:我们的三大产品线精准覆盖关键工艺需求:VHF/XeF₂干法释放刻蚀设备可对 SiO₂、Si 等多类牺牲层材料刻蚀,适配 MEMS 器件及 3nm 以下 GAAFET 先进制程;压电薄膜沉积设备采用溅射技术沉积高质量 PZT、AlN 等薄膜;4合1QVD气相沉积设备集成四种沉积技术。产品主要应用在MEMS传感器、光学器件、RF/5G、先进封装、生物医疗、量子器件等行业。


Q4

针对技术壁垒,江湾世纪目前取得了哪些关键的技术创新?


A

江湾世纪: 我们致力于通过工艺设备的创新带动产业突破:

VHF释放刻蚀:针对MEMS结构释放,我们推出了国内首台量产级VHF干法刻蚀设备,解决了湿法工艺易粘连、良率低的顽疾,现已交付头部客户量产。

高性能薄膜沉积:布局了用于压电MEMS的PVD设备以及用于红外传感的IBD设备。特别是针对红外VOx薄膜,我们不仅提供设备,还提供能显著降低电阻率波动的成熟工艺方案。

4合1QVD设备:针对未来更复杂的纳米级器件,研发了国内唯一的4合1设计设备,兼容SAM、MVD、ALD等多种工艺,助力提升国产设备的综合工艺能力。


Q5

如何看待MEMS中高端产品技术的发展方向?


A

江湾世纪: 我们的目标是成为“超越摩尔”领域不可或缺的特色工艺设备商。

深耕异质集成:随着AI和具身智能的发展,MEMS与ASIC、光电芯片的异质集成将成为主流,我们将持续优化设备以支持这种复杂的合封需求。

拓展高价值赛道:在巩固MEMS优势的同时,加速在硅光、先进封装等领域的渗透。

强化工艺交付:我们不只是卖机器,更是输出“工艺方案”。通过与国内Fab-light模式厂商的深度协作,我们要彻底终结中国高性能MEMS设备依赖进口的历史。



更多详情


江湾世纪(苏州)半导体科技有限公司即将邀请作为China MEMS 2026 第七届中国MEMS制造大会核心工艺特邀演讲嘉宾,发表刻蚀&沉积技术领域的前沿报告。


公司介绍

江湾世纪(苏州)半导体科技有限公司成立于2025年9月,是一家专注半导体特色工艺设备国产化的高科技企业。公司核心团队深耕行业20余年,均来自台积电、GF等头部晶圆厂及国际一线设备商,掌握VHF刻蚀、压电薄膜溅射沉积等核心技术,是国内首个突破相关领域技术壁垒的团队。

主营三大产品线,覆盖VHF/XeF₂干法释放刻蚀设备、压电薄膜沉积设备及4合1QVD气相沉积设备,适配MEMS器件、3nm以下先进制程及先进封装领域。




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