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发布于 2026-05-01
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Y12T121 海思首次展出光芯片系列DBR/EML/VCSEL/PCSEL
海思光电是华为旗下的半导体公司，最近几年在国内CIOE等论坛做产品进展，2026年在武汉九峰山论坛做了第一次实体展出。九峰山聚焦的是化合物的光芯片，海思的展出的光芯片也是聚焦在III V族化合物芯片系列。~~，硅属于IV四族元素，这个三五族系列不包括硅光内容。主要是三大类材料，GaN，GaAs和InP。海思最早布局化合物光芯片至少十五年以上了，在武汉建InP实验室，2011年收购英国一个团队，建立英国研发中心。2019-2024年，海思累计发货1亿颗化合物光芯片。2025年，单年度发货1亿颗以上化合物光芯片。完成了从技术突破到海量规模商用的跨越。海思的光芯片能力，众所周知的原因，几乎每一步都需要考虑自研，包括芯片设计数学建模，MOCVD以及MBE外延能力，芯片工艺以及后续的测试能力。海思DBR可调谐激光器，实现了单芯片C+L波段的调谐，超宽波段。大多数厂家用的是C波段和L波段做混合集成或单片封装合波，海思这个单芯片跨C波段和L波段对增益谱的设计要求挺高的。- Y11T280 住友可调谐窄线宽激光器从分立向集成发展
- Y10T328 华科/元芯 可调谐激光器ITLA进展
海思的DBR芯片提到了“双波导”的概念，他家在学术会议的论文有EML、APD等等，但很难看到可调谐激光器的内部结构阐述。华为在十年前就开始部署了很多DBR的专利技术，具体如何双波导，咱们慢慢观察。EML呢，2025年OFC，海思发表论文，带宽110GHz，可用于400G/200G/100G/50Gbps每通道的高速以太网光模块场景。Y11T120 华为海思 540Gbps EML，带宽110GHz从EML的COC布局来看，单端EML的伪差分设计结构，且采用EA端的双金丝键合工艺，降低寄生电感，提高封装带宽。双金线Y型结构，写过博通展示的一个案例。- Y11T208 正源：4x200G EML 芯片的差分驱动封装结构
- Y12T81 住友：高速EML的伪差分与串联双吸收的差分结构区别
EML通常需要搭配InP系的PD，海思用的背照式结构，带宽同样110GHz以上，背入射，底部刻蚀透镜。- Y9T118 三菱BH结构200G探测器，这个结构是背照型结构。
- Y10T284 NTT 165GHz 带宽背照PD高速探测器
用于硅光芯片光源的大功率CW激光器，海思有很多个系列，带制冷可支持到400mW。大功率激光器，产业选择边发射的CW DFB类型，同时也在研究面发射的PCSEL激光器。昨天刚写了住友PCSEL激光器的进展，也看一下海思的进展。25℃光功率可达到600mW，线宽35kHz，采用台阶双孔结构，光场直径~0.2mm，具体结构可参考住友的论文。海思首推单片多波长的PCSEL阵列芯片，波长间隔可设计100GHz、200GHz、400GHz或800GHz，用于CPO或OIO的多波长WDM小型化大功率光源。华为海思SOA也是用InP材料，采用Lealman结构。~~，Lealman是个的名字，华为海思英国实验室收购的原英国电讯的激光器的设计者，下图是1994年英国电讯的一个专利的截图，发明人包括了Lealman。- Y9T272 50G PON EML集成SOA的啁啾补偿
- Y9T271 华为50G PON 1342nm 15dBm EML-SOA
上面是InP系列，包括DBR、EML、PD、CW DFB、PCSEL和SOA。接下来聊一下GaAs系列，基于GaAs的量子阱激光器，在高速通信里通常设计为VCSEL的面发射激光器，用于EDFA的泵浦源时设计为边发射激光器。- Y11T259 海思：高速VCSEL用于AI场景光模块或NPO
- Y11T210 华为 212G VCSEL传输验证
2026年，华为海思的VCSEL可达到40GHz的带宽。2025年，海思办了一场基于VCSEL方案的eSR发布会。Y11T260 IPEC发布多模拓展距离的eSR标准2026年，海思在6月份会发布eSR的最新版本发布会，同时会做200G VCSEL的现场演示。有兴趣的小伙伴可以去现场看看。VCSEL是GaAs材料的量子阱技术，还有GaAs材料的量子点技术，用来做光频梳，也就是咱们说的多波长激光器。- Y11T304 海思多波长量子点激光器进展及与其他厂家性能对比
5月23日的议题《高速VCSEL、直调DFB与高速EML原理、现状及发展瓶颈》，6月13日的议题《大功率CW 激光器、多波长激光器、可调谐激光器原理及激光器产业链》，这俩议题都和激光器相关，可详询18140517646
