新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin高爬电距离封装

CoolSiC MOSFET 1200V G2

7mΩ分立器件采用TO-247 4 pi n

高爬电距离封装

英飞凌 采用高爬电距离封装的TO-247 4pin CoolSiC MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件，在第一代技术优势基础上实现显著提升，为更高性价比、高效率、紧凑型、易设计且可靠的系统提供先进解决方案。该器件在硬开关与软开关拓扑中均展现出优异性能，广泛适用于各类 AC - DC 、DC-DC及DC-AC功率级组合。

产品型号：

■ IMZC120R007M2H

产品特性

在VGS=18V、Tvj=25°C条件下导通电阻典型值7.5mΩ

极低的开关损耗

更宽的栅极电压VGS范围-10V至+25V

支持最高结温200℃过载运行

行业标杆级栅极阈值电压VGS(th)=4.2V

强抗寄生导通能力，支持0V栅压关断

适用于硬换流的体 二极管

应用价值

更优能效表现

冷却系统优化

更高功率密度

新增鲁棒特性

高可靠性设计

易于并联

竞争优势

增强性能：开关损耗更低与效率更高

.XT扩散焊技术：优化热阻，降低MOSFET工作温度

业界领先的RDS(on)导通电阻性能

独特的鲁棒性设计

应用领域

通用变频 驱动器

在线式/工业UPS