在
半导体
量检测领域，灵敏度每前进
1nm，都意味着对光学系统、机械控制与算法架构的极限挑战。最近，国内量测与检测领军企业中安
半导体
发布新一代颗粒检测设备 ZP8 及面向3D集成与衬底制造的两套系统化解决方案，其中ZP8实现了10.5nm极限精度，打破国际厂商长期在该领域的技术垄断。根据SEMI M35，ZP8的实测数据表明：对 10.5nm 颗粒的捕捉率（Capture Rate）已经达到了 95% 以上。
中安 半导体 市场应用 VP 初新堂表示：”通过对10.5nm最佳灵敏度的攻克，中安不仅是在挑战物理极限，更是为了确保当行业跨入3nm及以下节点时，我们的客户已经拥有一套成熟、稳定且高精度的良率监控方案。它的核心使命是面向未来越来越先进的设计节点！”
先进制程倒逼精度与范式的双重升级
高性能 AI 芯片 正驱动着 半导体 技术的全方位变革，涵盖了从先进制程逻辑 芯片 到背面供电（BSPDN），再到HBM（高带宽存储器）、先进封装以及3D IC等所有尖端领域。当前， 半导体 工艺向着5nm、3nm及以下尖端节点迈进，同时3D NAND堆叠层数持续攀升、DRAM三维化提速、背面供电与HBM先进封装快速普及，行业工艺复杂度呈指数级增长。微小缺陷、形貌畸变、应力不均等细微问题，都会引发 芯片 失效、良率暴跌，真正应验“失之毫厘，差之千里”的行业定律。这一演进过程，给工艺带来了两大挑战：
l 尺寸微缩的极限挑战： 随着特征尺寸越来越小，对晶圆（ Wafer）表面质量的要求已达到了近乎苛刻的程度。为了保证 芯片 的可靠性，市场对超平整晶圆（Superflat Wafer）的需求正成为主流。
l 堆叠架构的物理挑战： 在 3D IC和层叠技术中，随着堆叠层数的增加，形貌控制与翘曲（Warp）问题愈发凸显。会直接恶化 键合套刻精度（Bonding Overlay），并在后续光刻工艺中引发连锁性的对准误差（Misalignment），最终成为制约 3D 集成良率的核心物理瓶颈。
为什么在逻辑技术的演化路径中，颗粒检测（ Particle Counter）需要“先行一步”？
随着制程工艺的不断下探，逻辑节点每前进一步，对检测设备精度的要求就会随之发生质的飞跃。当行业进入 3nm 技术节点时，工艺对颗粒缺陷的捕捉能力基本需要达到 11.5nm 甚至更高。随着技术节点的更迭，能够被定义的“最小关键缺陷”尺寸正在持续收缩。曾经被视为“非关键”的微小颗粒，现在极易导致电路短路或失效。
“如果我们不能在量检测环节实现更小的突破，就无法为客户的先进制程提供有效的数据支撑。”
初新堂介绍： “2024至2025年，公司保持半年一代的迭代节奏，检测灵敏度先后实现26nm、17nm、12.5nm的三级跳，此次发布的ZP8设备，更是实现跨越式突破，最佳检测灵敏度达到10.5nm。这种持续的更新迭代，不仅是中安创新能力的体现，更是我们对客户制程演进承诺的兑现”。
先进制程下的高灵敏缺陷检测，一直是国产 量检 测设备难以突破的壁垒，国际厂商长期占据技术高地。 中安 半导体 此次发布的 ZP8能够实现10.5nm的极致检测精度，并非单一技术的单点突破，而是 “光学+机械+算法”的全方位优化方案。
中安 半导体 并未止步于当前的技术突破，而是规划了清晰的迭代路线。据介绍， ZP8将在今年正式推向市场，后续公司将持续优化升级，计划于明年推出面向15nm大规模量产（HVM）的新一代设备，在保障高精度的基础上，进一步提升设备产能与稳定性，全面适配客户规模化量产的严苛要求，提前卡位下一代制程检测需求。
范式跃迁：从 “事后检测”到“事前预测”的 监控变革
如果说 ZP8 解决了“极限尺度下的缺陷捕捉”，那么面对 3D 堆叠与异构集成，量检测的另一大核心战场在于全局形貌（Global Shape）与应力（Stress）的管理。
晶圆在经历 Edge Trim、研磨、等离子活化及 CMP 等多道工序后，累积的形貌畸变会在键合（Bonding）环节被指数级放大。 当两片晶圆开始接触并实施键合时，物理层面的微观变化极其复杂，其中最核心的挑战在于晶圆畸变（Wafer Distortion）及其他关键工艺参数的实时处理。在良率管理中，“Bonding Overlay（键合套刻精度）”和“Post-bond Litho Overlay（键合后光刻套刻精度）”至关重要。 Bonding Overlay 是 两片晶圆在键合过程中，由于物理接触产生的图形相对位移 ； Post-bond Litho Overlay是键合完成后，对后续光刻工艺产生的影响。
中安 半导体 打破传统事后检测模式，创新性推出 IPD（in plane displacement）算法解决方案，彻底改变“ 测量 已发生结果”的被动模式，转向“预判未发生误差”的主动管控。其全流程量测链路：
l Pre-bonding（键合前）：对上下两片硅片进行独立量测与数据预处理。
l In-process（键合中）：通过双面量测数据耦合，极致提升键合时的对准精度。
l Post-processing（后期处理）：在完成边缘减薄（Edge Trim）与减薄磨削（Grinding）后，中安的设备能够对 Post-bonding Overlay 进行最终的闭环检测。
初新堂分享到： “目前的实测数据显示，中安量测方案得到的数据相关性已超过90%。”从“预知”到“改善”，中安 半导体 通过全量数据量测，为工艺提供最优解。
从衬底的 源头制胜 ，到全流程良率控制
纵观中安 半导体 的布局，其野心不止于单一设备的替代 ，而是致力于构建一个横跨材料研发、前道制程及先进封装的 “全流程良率控制生态”。在衬底领域， 中安 半导体 将良率管控关口前移至晶圆制造源头，通过自研光学技术，将衬底微粗糙度量测极限稳定控制在 1.5nm以内。同时针对先进制程对超平整晶圆的极致要求，公司已在下一代产品中布局了高精度干涉 测量 、低噪声厚度 测量 模块、抗条纹印迹效应算法等多项革新性技术，为国内大硅片产业的技术升级提供核心设备支撑。
中安 半导体 表示： “量检测设备的终极目标是服务于产线。我们深知，只有精准发现每一处微小缺陷，才能真正帮助客户提升生产良率，满足严苛的制造需求。”