行研分析
1、设备原理：
在真空环境下，设备利用微波能量激发氧气，使其电离并解离为高活性的氧自由基。这些氧自由基与光刻胶在等离子体氛围中发生化学反应，生成一氧化碳、二氧化碳及水蒸气等挥发性产物，最终由真空系统快速排出，实现光刻胶的去除。
2、设备亮点：
该工艺起辉迅速、对基底损伤低，适用于敏感器件的无损处理。此外，设备可通入CF4气体，有效去除经离子注入、刻蚀等工艺后表面性质发生变化的光刻胶，显著提升去胶效果，拓展工艺适应性。
3、主要用途：
适用于研发、实验室及小批量生产，同时满足大规模量产需求。典型应用包括：光刻胶去除、干法/湿法刻蚀前后处理、SU-8及其他环氧基树脂去除，以及MEMS制造中的牺牲层剥离等。
▋▍技 术 指 标
1、样品尺寸：支持6英寸和8英寸晶圆（25片/批）批量工艺，也适用于单片及不规则小尺寸样品
2、功率范围：100W ~ 1000W（可调）
3、工艺气体：O2、Ar、CF4
4、气体流量：50sccm ~ 2000sccm
5、工艺时间：0min ~ 30min
6、去胶速率：20nm/min ~ 600nm/min
清洗工艺前后对比：
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