3月31日，NAND Flash大厂铠侠电子再度向客户发出通知，宣布将于2028年停止生产部分浮栅式（Floating Gate）和 BiCS Flash Gen3 产品。具体涉及的产品包括基于32/24/15nm制程（SLC/MLC/TLC）的浮栅式和BiCS Flash Gen3晶圆、BGA、TSOP、eMMC、UFS、普通SD。
铠侠表示，最后采购预测（即客户最后一次下单数量）期限为2026年9月30 日，最后出货时间为2028年12月31日。这意味着2029年时，铠侠将正式退出2D NAND 市场。
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而在3月19日，铠侠电子才宣布“薄型小尺寸封装”（Thin Small Outline Package，简称TSOP）相关产品停产。而该TSOP封装主要用于低容量MLC NAND（每个存储单元中存储 2bit 数据的NAND闪存类型），这也意味着铠侠的低容量MLC NAND可能将停产。
近年NAND Flash技术快速演进，由于无尘室空间有限，相较主流TLC与QLC架构，MLC的单位产值最低，不符合NAND原厂追求规模经济与资本效率的策略，因此原厂正积极集中资源于TLC、QLC与DRAM，并逐步将LCLC产品停产（EOL），而如今则连2D NAND产品也将停产。
在今年2月，还有报道称三星电子将终止华城厂区内12号线的2D NAND Flash生产，转而改造为生产瓶颈严重的1c DRAM后端制程生产线。
业界消息表示，三星电子最快将于3月中旬停止该产线运行，之后将转换为DRAM布线等生产线。华城12号线月产能，以12英寸晶圆为基准，约为8万～10万片规模。据悉，三星电子从去年开始已向客户告知停产方针。这意味着三星电子的2D NAND时代正式落幕。
三星电子2002年在全球率先量产1Gb级NAND闪存，登顶闪存市场首位。此后在2013年成功量产3D V-NAND，推动业界技术范式转向垂直堆叠结构。自3D NAND首次量产后约13年，2D NAND最后一座生产据点正式关闭。
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