ALD 系列新品由拓荆科技 ALD 事业部总经理刘武平先生讲解，本次发布了两款原子层沉积新品 VS-300T Astra-s SiN 和 PF-300T Altair TiN ,性能先进，同时满足高产能需求并具有优异的坪效比和 CoO。
PECVD 事业部总经理于棚先生向现场观众介绍了 PECVD 系列新品，他表示，经过10 余年的深耕，拓荆科技的 PECVD 设备装机量及工艺覆盖率均达到国内第一，实现 PECVD 工艺全覆盖。2026 年，拓荆带来了 PF-300L Plus nX ，应用领域包括先进逻辑后道层低介电薄膜，并兼容逻辑 ≤28nm 后道层间低介电薄膜，实现介质薄膜的“低”介电常数和“高”机械强度。
Gap-fill 系列产品由事业部总经理杨家岭先生讲解，本次发布的 NF-300M Supra-H ACHM-VI，是一款在先进存储与先进逻辑制程中应用于图形传递修饰，刻蚀阻挡层及图形平坦化处理的设备，并拥有业界坪效比最高和成本（CoO）最低的优异表现。
3D IC 系列新品涵盖熔融键合、激光剥离等多款新产品，重点聚焦先进逻辑芯片Chiplet 异构集成、三维堆叠及 HBM 相关应用。Pleione 300 HS 芯片对晶圆熔融键合设备兼容多种芯片尺寸和厚度，能实现自动更换拾取与键合模组，产能高于现有产品的50%。Lyra 300 eX 新一代晶圆激光剥离设备，应用于先进逻辑（BSPDN）和先进存储（VCT）背面工艺，是无金属污染、低应力、无热影响的设备与工艺的完整解决方案。值得注意的是，此次发布会拓荆还发布了一款全球首创的 Volans 300 键合空洞修复设备，解决键合界面空洞修复难题，提高 3D IC 产品良率和产线稳定，充分体现了公司的技术引领能力。
2025 年度，公司实现营业收入约 65.19 亿元，同比增长约 58.87%；归属于母公司所有者的净利润约 9.29 亿元，同比增长约 35.05%；归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润约 7.26亿元，同比增长约103.79%。
随着人工智能（AI）、高性能计算（HPC）、汽车电子（智能驾驶、车联网）、机器人及可穿戴设备等新兴领域技术的快速发展和需求的激增，芯片制造厂加速推进先进制程的技术迭代，同时不断扩大产能规模。公司积极把握半导体芯片技术迭代升级与国产替代的发展机遇，构建了较为完善的薄膜沉积设备、三维集成领域设备的产品矩阵。依托在PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD 等薄膜沉积设备及先进键合设备领域的技术突破与规模化量产，公司在先进制程领域核心竞争力显著提升，业务规模实现大幅增长。
Applied Materials，又上新！
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