来源：北方华创，有删减
近日，SEMICON China 2026 火爆开幕，北方华创一口气上新了三款覆盖刻蚀、电镀及混合键合的全新半导体设备，同时对控股公司芯源微的湿法设备做了全新的梳理！
全新一代 12 英寸高端电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备——NMC612H。该设备聚焦先进逻辑与先进存储领域关键刻蚀工艺需求，针对超高深宽比、超高均匀性、精确形貌控制等挑战，攻克了全新一代精准偏压控制、射频多态脉冲控制、超高速通讯网络控制等多项技术难题，搭配全国产超百区独立控温静电卡盘及具备完全自主知识产权的温控算法，将 ICP 小尺寸刻蚀的深宽比提升到数百比一，均匀性带入埃米级时代，标志着北方华创持续引领高端 ICP 刻蚀设备领域的发展方向，突破性技术优势可满足更先进节点的芯片制造要求，携手芯片制造商共同迎接AI时代的机遇与挑战。
芯片制造中更精细的尺寸要求，带来了工艺步骤数量的成倍增加，芯片更小的关键尺寸 (CD) 与节距 (Pitch) 由多轮沉积和 ICP 刻蚀工艺协同定义，每一步的微小差异，都会被后续的环节指数级放大。
612H 搭载了全新一代精准偏压控制（Pulsed DC Voltage，PDV）；量产级超百区精细控温静电卡盘；射频多态脉冲（MLP）及快速匹配算法成套解决方案；原位原子层沉积（ALD）模块：具备同腔室内任意交替使用 ALD 沉积和刻蚀工艺能力。
Applied Materials | 如何设计一台埃米级制程的等离子体刻蚀设备？
12英寸芯片对晶圆（Die to wafer，D2W）混合键合设备——Qomola HPD30。该设备聚焦 SoC、HBM、Chiplet 等 3D 集成全领域应用对芯片互连的极限要求，突破微米级超薄芯片无损拾取、纳米级超高精度对准和无空洞高质量稳定键合等关键工艺挑战，成功攻克高速多轴联动控制、纳米级图像识别、全局坐标精准定位、多规格芯片自适应、AI 实时感知与智能补偿等多项核心技术，并融合全套自研高精度光学成像系统与运动控制、全局标定、末端姿态调整等先进算法，实现了芯片纳米级对准精度与高速键合产能的更优平衡，成为国内率先完成 D2W 混合键合设备客户端工艺验证的厂商。此次发布是北方华创进入 3D 集成混合键合装备领域的重要里程碑。
依托上述核心技术体系与深入的客户协同验证，Qomola HPD30 在对准精度、产能、键合界面空洞率等关键指标上均达到国际先进水平，满足 3D 集成对超高密度互连的严苛要求。
与此同时，北方华创同步研发的 12 英寸 W2W 混合键合设备 Gluoner R50，聚焦CIS、3D NAND、3D DRAM 等核心应用，集成纳米级全域对准、精细的界面活化处理、键合波控制及大翘曲晶圆自适应等关键技术，可实现更高对准精度、更高质量的混合键合。
北方华创推出了搭载自研 AI-NEXUS[1] 系统的 TSV 电镀设备Ausip T830。
AI-NEXUS 系统是一套覆盖数据分析与仿真、工艺优化与生产调度的全智能技术体系。通过将 AI 融合设备，Ausip T830 实现了从 “自动化执行” 到 “自适应智造” 的跨越，为先进封装中的高深宽比结构填充难题提供了系统性解决方案。
[1] NEXUS：NAURA Electroplating X-platform Unified System
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北方华创深耕湿法核心技术，实现从跟跑到局部领跑的跨越。2025年战略整合芯源微，补全高端湿法产品布局，进一步夯实了在湿法工艺设备领域的领先地位。
12 英寸湿法设备涵盖单片，槽式和 Scrubber 三大类型共近 10 款设备平台。其中槽式WE3102 实现湿法清洗和湿法刻蚀工艺覆盖，包括磷酸、PR strip、RCA、Gate clean、Recycle 等通用工艺，以及 3D NAND 和 3D DRAM 的 TMAH、DHF、special 磷酸、配方刻蚀药液等湿法刻蚀工艺。
中前段单片 3120G、3180G、3120S，结合芯源微的单片湿法设备，实现了DRAM、NANO、Logic 器件的 SCCO₂、Hot SPM、DSP、LTSPM、LAL、APM、RCA、SPM、Scrubber、DPP2、TMAH、Recycle 等绝大部分工艺的覆盖。
后段单片 SC3080AST、3080B、3080D 等设备实现了工艺全覆盖，包括 AIO BASF-R、EKCH、ST250、SY9058、ICS8000、IDC960 、Backside clean、Backside etch、NE111、DSP、DHF 等全部工艺。
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